PhoSICでは、利用者の皆様のニーズにお応えするできるよう、種々の高度化を進めてきました。 今回、BL07U、BL08U、BL10Uにおいて、利用可能なエネルギーを以下のように拡張しました。
これまで: 50 - 1000 eV
高度化後: 50 - 2000 eV
(高度化による効果)
・Si K-edgeの分析が可能になりました。
・BL08Uとの強度の比較は未実施のため、当面は試験的運用となります。
これまで: 180 - 2000 eV
高度化後: 180 - 2500 eV
(高度化による効果)
・P K-edgeの分析が可能になると期待されます。今後、標準サンプル等を用いてBL08Wとの比較を実施します。
・S K-edgeについては、光学素子に用いているAuのM5-edgeにおける吸収が生じ、十分な光フラックスは得られないと考えられます。このため、
S K-edge領域の分析は極めて低い強度での測定になる
ことをご理解ください。
・また、P K-edgeについてもXANES領域は問題ありませんが、EXAFS領域まで測定することは推奨できません。吸収曲線は、入射強度で規格化するため原理的には入射光強度変化の影響を受けませんが、実際には吸収強度と入射強度の信号の間には検出方法の差等による非線形性が生じやすいため、入射光強度の変化の影響を回避できないと考えるのが一般的です。
これまで: 2.1 - 15.0 keV
高度化後: 2.1 - 18.3 keV
(高度化による効果)
・CT測定等で15 keVでは透過能が足りない場合のオプションとしてご利用いただけます。
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